緑色の炭化ケイ素研磨材は、高純度で結晶粒の大きな炭化ケイ素原料を使用しており、炭化ケイ素切削微粉末の優れた切削性能と安定した物理状態を保証します。
| 典型的な化学分析 | |
| SiC | 99.05%以上 |
| SiO2 | ≤0.20% |
| F、Si | ≤0.03% |
| Fe2O3 | ≤0.10% |
| FC | ≤0.04% |
| 代表的な物理的性質 | |
| 硬度： | モース硬度：9.5 |
| 融点： | 2600℃で崇高 |
| 最大使用温度： | 1900℃ |
| 比重： | 3.20～3.25g/cm3 |
| かさ密度（LPD）： | 1.2～1.6 g/cm3 |
| 色： | 緑 |
| 粒子の形状： | 六角 |
| サイズ： | |
| 微粉末： JIS:240# 280# 320# 360# 400# 500# 600# 700# 800# 1000# 1200# 1500# 2000# 2500# 3000# 4000# 6000# 8000# 10000# フィード: F230 F240 F320 F360 F400 F500 F600 F800 F1000 F1200 F1500 F2000 | |
1. 優れた研磨性能
- 高い硬度と鋭利な結晶粒形状により、シリコンウェハーに優れた表面仕上げを実現します。
- 表面の欠陥、傷、不均一な層を効果的に除去します。
2. 高い切断効率
- 強力な研削能力により、研磨速度と生産効率が大幅に向上します。
- 低消費量で安定した耐摩耗性能を実現。
3. 均一な粒子サイズ
- 粒子径の分布が狭いため、すべてのウェーハで均一な研磨効果が得られます。
- 研磨しすぎたり、表面を部分的に損傷させたりしないでください。
4. 優れた化学的安定性
- 研磨スラリー中の高温および化学腐食に対して耐性があります。
- シリコン基板との化学反応が少なく、汚染もありません。
5. 表面損傷が少ない
- 微細で均一な粒子は、シリコンウェーハの表面下への損傷を最小限に抑える。
- 半導体グレードのシリコンウェーハの精密研磨に最適です。
6. 費用対効果が高い
- 長寿命と安定した品質により、総生産コストを削減します。