ウェーハ研磨用グリーン炭化ケイ素微粉末

半導体ウェーハ研磨に使用されるグリーン炭化ケイ素（SiC）粉末は重要な材料であり、その高い硬度、優れた化学的安定性、熱的安定性により、精密研磨プロセスで広く使用されています。

1. グリーンシリコンカーバイドの特性

—高硬度（モース硬度9.2）：ダイヤモンド、立方晶窒化ホウ素に次ぐ硬度で、硬質材料（シリコン、シリコンカーバイドウェーハなど）の加工に適しています。

—化学的不活性：室温では酸やアルカリと反応しないため、ウェーハ表面の汚染を防ぎます。

—熱安定性：高温でも性能を維持でき、高速研磨に適しています。

–シャープな粒子形状：効率的な切断能力を提供しますが、傷を避けるために粒子の均一性を制御する必要があります。

2. 半導体研磨への応用

—粗研磨ステージ：ウェーハ表面の大きな欠陥や加工痕（スライスや研削後の損傷層など）を除去するために使用されます。

—シリコンカーバイド（SiC）ウェーハ研磨：グリーンシリコンカーバイドはSiCウェーハ材料の硬度に適合し、表面の損傷を軽減します。

—補助用途：サファイア基板や光学ガラスなどの硬くて脆い材料の研磨に使用します。

3. 主要な品質要件
— 粒度分布：大きな粒子による傷を避けるために、非常に均一である必要があります（D50 1〜5μmなど）。

—純度：高純度（≥99.9%）で金属不純物（Fe、Alなど）による汚染を低減します。

—粒子の形態: 表面粗さを減らすには、球形または等面積である必要があります。

—サスペンション：研磨液中に安定に分散し、沈殿を防ぎます。